Atelier | G-RADNEXT | Radiation Hardness Testing of Semiconductor Device

Atelier | G-RADNEXT | Radiation Hardness Testing of Semiconductor Device

14 et 15 mai 2025 | GANIL, Caen

Les effets du rayonnement dans les dispositifs semi-conducteurs jouent désormais un rôle majeur dans la performance et la fiabilité de l’électronique d’aujourd’hui. Plusieurs questions sont également soulevées par les applications émergentes (telles que les voitures à conduite autonome, les nanosatellites, les implants médicaux, etc.) Alors que la demande d’essais de dureté des rayonnements est en hausse, la disponibilité des installations d’irradiation offrant un accès industriel pour effectuer ces essais, au moins pour certains types de rayonnements, n’est pas en mesure de répondre à la demande croissante. Les méthodologies d’essai traditionnelles semblent également limitées face aux nouvelles technologies des semi-conducteurs, à l’utilisation accrue des composants commerciaux de l’étagère et aux nouveaux domaines d’application.

Le programme RADNEXT – un projet d’infrastructure H2020 INFRAIA-02-2020 – a débuté en juin 2021 et relève la plupart de ces défis. En particulier, il vise à combler le fossé entre les utilisateurs industriels et universitaires des essais de dureté par rayonnement et les installations d’irradiation qui leur fournissent du temps de faisceau. Cet atelier est principalement dédié à l’ensemble de la communauté industrielle où les effets du rayonnement dans les semi-conducteurs et autres dispositifs microélectroniques jouent un rôle crucial : c’est-à-dire les concepteurs de puces, les fonderies, les entreprises spatiales, les utilisateurs finaux, les entreprises d’essais et les fabricants d’équipements d’essais, et bien d’autres encore. L’objectif de l’atelier est de mettre en relation les parties prenantes de l’industrie avec des experts des effets des rayonnements issus du monde universitaire et des représentants d’installations d’irradiation afin de stimuler la discussion, dans le cadre de l’initiative RADNEXT.

Forts de l’expérience acquise, notamment grâce aux résultats très positifs et aux retours d’expérience de l’atelier G-RAD de décembre 2020, de l’atelier G-RAD(NEXT) de mai 2022, de l’atelier G-RADNEXT de 2023 au CERN et de l’atelier GB-RADNEXT de 2024 au RAL au Royaume-Uni, nous vous proposons de nous rejoindre en mai 2025 et de poursuivre notre action là où nous l’avons laissée l’année dernière. Nous sommes fiers d’annoncer que l’atelier se tiendra au GANIL à Caen, en France.

Organisé par RADNEXT, PAC-G (IRT Nanoelec), association RADEC, GANIEL, DATZMANN interact & innovate


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Inscription possible jusqu’au 27 avril 2025


Contact

📧: inaam.ul-haq@esrf.fr