Replay | De nouvelles techniques d’analyse X pour la caractérisation de performance des semi-conducteurs pour l’électronique

Replay | De nouvelles techniques d’analyse X pour la caractérisation de performance des semi-conducteurs pour l’électronique

De nouvelles techniques d’analyse X pour la caractérisation de performance des semi-conducteurs pour l’électronique

Sur la ligne de faisceau synchrotron BM05 de l’ESRF, la diffraction de Bragg est utilisée pour sonder la structure cristalline en mesurant l’intensité des rayons X diffractés à des angles spécifiques, ce qui permet d’obtenir des informations sur la qualité du réseau et les défauts structurels.

En complément, la technique XBIC utilise un faisceau de rayons X focalisé pour générer des porteurs de charge à l’intérieur d’un semi-conducteur, ce qui permet une cartographie spatiale de la réponse électrique et l’identification des inhomogénéités. La combinaison de ces méthodes permet une évaluation complète des propriétés structurelles et électroniques des matériaux cristallins et semi-conducteurs.

Dans cette vidéo, Pierre Everaere, ingénieur à l’ESRF et contributeur du programme Nanoelec/Carac, détaille ces techniques de caractérisation, en particulier au regard des capacités de la ligne de faisceau BM05. Il donne plusieurs exemples expérimentaux spécifiques de ces techniques nouvelles et en cours de développement, sur une large gamme de matériaux, dont le diamant, le silicium et le nitrure de gallium.


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